Memoria sodimm innovation ddr4 8gb 2666 it cl19-19-19 1,2v
Ref. fabricante INNOV-4251538811446 · EAN 4251538811446
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Descripción
La memoria SODIMM Innovation DDR4 de 8GB y 2666 MHz es un módulo diseñado para aumentar la capacidad de RAM en dispositivos como portátiles y sistemas compactos. Con una latencia CAS de 19 y un voltaje de 1.2 V, está optimizada para ofrecer un rendimiento eficiente en tareas diarias y aplicaciones multitarea.
- Memoria interna: 8 GB
- Tipo de memoria: DDR4
- Velocidad de memoria: 2666 MHz
- Latencia CAS: 19
- Voltaje: 1.2 V
Ficha técnica
| Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 8 gb |
|---|---|
| Latencia CAS | 19 |
| Memoria interna | 8 gb |
| Tipo de memoria interna | Ddr4 |
| Velocidad de memoria del reloj | 2666 mhz |
| Voltaje de memoria | 1.2 v |
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